計算機及相關的外圍產品逐漸微小化的趨勢下﹐作為內存儲存的
磁性材料 研究﹐也逐漸走向高密度的方向。然而﹐由于密度的提高﹐在單位體積/面積上所需要進行資料位儲存的磁場﹐也隨之提高。而因為高磁場的產生有技術上的困難﹐使得高密度
磁性材料的應用﹐面臨了限制與瓶頸。
近日，日本東北大學大野實驗室(注)的Daichi Chiba﹐發表了利用施加電場
磁性材料廠 ﹐可以降低存取資料所需磁場大小的研究結果。這項研究發現鐵氧體生產廠家 ﹐透過施加電場在磁性記憶儲存材料﹐可以降低寫入資料時需要施加的磁場，有可能被應用在制造超高密度的內存上。
Daichi等人的實驗是先在攙有錳(Mn)金屬而具鐵磁性的砷化銦(InAs) 上﹐鐵氧體方塊 鍍上一薄層絕緣體與金屬電極﹐然后再通過
磁性材料電極對砷化銦施加電場。當施加1.5MV/cm的電場時﹐所需要改變磁矩極性(進行資料寫入)的磁場大小﹐是未加電場時的五分之一。這個發現﹐使得高密度
磁性材料的研究﹐又出現了一線希望。切割磁鐵 不過﹐計劃主持人Hideo Ohno表示﹐由于他們的實驗是在絕對溫度30K的低溫下進行﹐其發現僅能算是初步證實施加電場的可行性。如果要談到實際應用方面﹐切割方塊 還得以在室溫下進行的實驗來驗證。
